[Khóc Trong Đêm]

MRAM là một hình thức mới của bộ nhớ NVM (non-volatile memory, tạm dịch là "bộ nhớ bất biến", bảo đảm dữ liệu nguyên vẹn khi mất điện). MRAM đang được sử dụng trong những chiếc xe đua, máy bay, thiết bị mạng và lưu trữ.

MRAM đang từ từ đi vào các sản phẩm và hứa hẹn cuối cùng sẽ thay thế DRAM, nhưng nhiều nhà phân tích cho rằng có thể phải mất một thời gian dài nữa trước khi công nghệ DRAM bị gạt sang một bên.
Hôm 18/1/2012, Everspin cho biết, MRAM (magnetoresistive random access memory - bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên từ điện trở) đang dần đi vào các sản phẩm đòi hỏi bộ nhớ NVM nhanh, đáng tin cậy, có thể bảo vệ dữ liệu trong trường hợp mất điện.

MRAM đã được phát triển trong nhiều thập kỉ. Năm ngoái Toshiba và Hynix cam kết phát triển loại bộ nhớ mới để cuối cùng thay thế DRAM và NAND flash. MRAM hoạt động giống như bộ nhớ chuẩn, nhưng sử dụng các thuộc tính từ tính để lưu trữ dữ liệu thay vì lưu trữ điện tích trên tụ điện như với DRAM. Tuy nhiên các nhà phân tích cho biết, chi phí cao và mật độ hạn chế sẽ giới hạn MRAM xâm nhập các thị trường chuyên ngành trong ngắn hạn.
Các sản phẩm MRAM của Everspin đang được sử dụng trong nhiều sản phẩm lưu trữ và kết nối mạng của Dell (Dell đang tìm kiếm bộ nhớ NVM nhanh, đáng tin cậy, có thể bảo vệ dữ liệu trong trường hợp mất điện), CEO Phill LoPresti của Everspin cho biết. Bộ nhớ MRAM cũng đang được sử dụng trong nhiều chiếc xe đua BMW, máy tính kiểm soát chuyến bay của Airbus A350 và các hệ thống tự động hóa công nghiệp của Siemens.
MRAM là sự thay thế khả thi cho một số sản phẩm mạng và lưu trữ (trong đó mật độ không phải là mối quan tâm chính), nhà phân tích Mike Howard của IHS iSuppli nói. Ví dụ, MRAM đang được sử dụng như là sự thay thế cho SRAM (một loại bộ nhớ NVM) trong các sản phẩm của Dell.
Hiện MRAM đang được tung ra với số lượng nhỏ và có thể sẽ được chấp nhận chỉ sau khi DRAM bị cản trở, ông Howard nói. Người ta đã chi rất nhiều tiền trong sự phát triển của DRAM và DRAM cũng có lợi thế về giá so với MRAM.
Có nhiều loại bộ nhớ khác như PCM (phase-change memory - bộ nhớ thay đổi pha), được Samsung và Micron ủng hộ, đang đấu tranh để thay thế DRAM và NAND flash. Nhưng nếu MRAM là để thay thế DRAM, nó sẽ xảy ra vào cuối thập kỉ này, nhà phân tích Jim Handy của Objective Analysis cho biết.

Nguồn: Thông Tin Công Nghệ